紫外線励起研磨されたダイヤモンド表面の化学状態分析

摘要

次世代半導体材料の超平滑化加工が注目されており、これまでにSiCについて紫外線励起研磨(U-RAM)を行い、研磨効率やSiC表面の化学状態を分析してきた。平坦化時間が短くなる要因として、紫外線照射により表面が酸化され、表面が削られやすくなることが考えられた。今回、より硬いダイヤモンドについて U-RAM を行い、ダイヤモンド表面の化学状態変化を理解することを目的とした。X線光電子分光ではダイヤモンド由来と表面不純物由来のC 1s, O 1sのみが観測され、ダイヤモンド表面の化学状態変化を調べるのは困難だった。そこで、X 線吸収分光法(XAS)によりダイヤモンド表面の化学状態分析を行った。