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一种硅终端金刚石表面的制备方法

摘要

一种硅终端金刚石表面的制备方法,本发明是为了解决现有金刚石的氧化是以一种不可控和无序的方式产生多种碳氧键结构,导致了不可控的表面电子态以及随后的对近表面缺陷色心光物理特性的损伤效应的问题。制备方法:一、对金刚石样品进行超声清洗;二、对清洗后的金刚石进行高温真空处理;三、采用磁控溅射在退火后的金刚石表面沉积硅膜;四、将镀硅的金刚石封管,高温加热处理;五、将金刚石放于HF中浸泡处理,完成金刚石表面硅终端的制备。本发明硅终端金刚石表面的制备方法可避免等离子体及湿化学刻蚀方法的随机性,使成键方式相对可控有序,制备工艺较为简单,周期短,可重复性强。

著录项

  • 公开/公告号CN113278912A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202110525235.2

  • 发明设计人 刘康;乔鹏飞;朱嘉琦;代兵;张森;

    申请日2021-05-13

  • 分类号C23C14/02(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);C30B33/02(20060101);C30B33/10(20060101);

  • 代理机构23213 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯静

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 12:18:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-13

    授权

    发明专利权授予

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