水素プラズマ処理導入によるダイヤモンド(111)MOS構造の界面準位密度低減とMOSFETのチャネル移動度向上

摘要

我々の研究室では近年、反転層チャネルダイヤモンド MOSFET を世界で初めて実現した。しかし、MOS界面の高い界面準位密度(D_(it))～10~(13) cm~(-2) eV~(-1)が原因でチャネル移動度が低く、そのことが課題となっている。最近の研究において、酸処理によるO終端化の際に荒れるダイヤモンド表面が高いD_(it)の原因であることや、ダイヤモンド表面への水素プラズマ処理により(111)を停止面とする異方性エッチングと同時に表面が水素終端されることがわかってきた。