パルスレーザー法により作製したSnSe薄膜の透過電子顕微鏡観察

摘要

斜方晶構造を有するセレン化スズ(SnSe)はb軸方向に2.7、c軸方向に2.6と非常に高い無次元性能指数(ZT)を示す[1]。SnSeの異方的な熱電特性を活かすために、結晶軸の制御が可能な薄膜化が試みられている。SnSe薄膜の構造に関する研究はX線回折を使用した配向性の評価などを行った例が多く、透過電子顕微鏡(TEM)を使用して詳細な構造解析を行った研究例は少ない。本研究では、TEMを用いてSnSe薄膜の構造解析を行った。