InGaN/GaN屈折率導波路型フォトニック結晶デバイスに向けたHEATE法による高アスペクトナノホールアレイの作製

摘要

フォトニック結晶（PhC）は光デバイスの高性能化・高機能化に有用なデバイス技術であり、最近ではハニカム格子に配置した誘電体ロッドやホールにより光領域でのトポロジカルエッジ伝搬の理論予測や実験的検証も報告され関心を集めている。窒化物半導体を用いた可視領域PhCの研究も行われ、面発光レーザや高Q値共振器などが報告されている。本研究では、可視光領域でのトポロジカル光伝搬現象の検証や高性能PhCデバイスの作製に向けたGaNナノ加工技術について報告する。