n型フロントエミッター型結晶シリコン太陽電池モジュールの正バイアスPID試験と回復試験

摘要

電圧誘起劣化(PID)は、太陽電池モジュールの Al フレーム-セル間の電位差に起因して発電性能が劣化する現象である。基板にn型結晶Si(c-Si)を用い、光入射側にp型エミッター層があるn型フロントエミッター型(n-FE) c-Si太陽電池は、汎用の p 型 Si基板を用いたものと比べ変換効率が高く、今後の普及拡大が期待されているが、PIDに関する知見は不足している。これまで我々は、n-FE c-Siモジュールに対して−1000 VのPID試験を行い、窒化Si (SiN_x)膜への正電荷蓄積、およびNa侵入に起因する劣化を確認しており、また、n-FEセル中のSiN_x膜とc-Siの間のSiO_2膜には、SiN_xへの電荷蓄積と、SiへのNa侵入を遅延する効果があることを明らかにしている。今回は、n-FE c-Siモジュールへの正バイアスによるPID試験と、負電圧でのPID試験後のモジュールへの正バイアス印加による回復挙動を調査したので報告する。