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プラズマスパッタ型イオン源によるAlN~+ 生成の検証

机译:用等离子体溅射离子源验证AlN〜+的形成

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摘要

プラズマスパッタ型イオン源を用いて窒化アルミニウムイオン(AlN~+)を生成する実験的研究を継続中である.マグネトロンスパッタ型Al ターゲット表面にN_2 放電により形成されたAlN 層をスパッタすることで,AlN~+ ビームを引き出す.これまでは質量数の大きいArを用いて放電を形成してきたが,ビームを計測する際に質量スペクトル上での分離が明確でない場合もあった.これはAlN~+ の質量数が41 でありAr~+ の質量数が40 と隣接していることが原因である.そのため,質量数20 であるNe での放電を行うことによりAlN~+ 電流量を正確に計測し,イオン生成の基礎課程を調査する事にした.
机译:使用等离子溅射离子源进行氮化 实验产生铝离子(AlN〜+) 研究正在进行中。磁控溅射 由N_2型靶材表面的N_2放电形成 通过溅射AlN层,AlN〜+蜂 拔出到目前为止,质量数大的Ar 使用已形成放电,但测量了光束 质谱分离清晰 在某些情况下,事实并非如此。这是因为AlN〜+的质量数是 它是41,Ar〜+的质量数接近40。 是原因。因此,它的质量数为20。 用Ne放电的AlN〜+电流量 准确测量和研究离子产生的基本过程 我决定这样做。

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