离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜

摘要

自行设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置，并在Si（111）衬底上制备了AlN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN薄膜的结构、形貌和成分。在最佳实验条件下制备的AlN薄膜具有（002）晶向的强衍射峰和相对较弱的（100）衍射峰，AlN（002）的衍射峰半高宽在612～648弧秒之间，气体流量、衬底偏压等沉积参数对薄膜的结构有明显的影响。