Co/Ni 多層膜/PMN-PT 界面マルチフェロイク構造における磁気異方性

摘要

我々は垂直磁気異方性を持つ[Cu/Ni] 多層膜と強誘電体BaTiO_3 との界面マルチフェロイクヘテロ構造において、BaTiO_3のa-c ドメインスイッチングに起因した格子歪みを利用して磁化配向を面直-面内で切替えることに成功し、最近のXMCD測定の結果、この垂直磁気異方性のスイッチング機構が軌道角運動量の変調現象であることを見出した。今回、新たな垂直磁気異方性を有する界面マルチフェロイクを探索するために、[Co/Ni] 多層膜と強誘電体(1-x)PbMg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-(x)PbTiO_3（PMN-PT）とからなる界面マルチフェロイク構造の磁気異方性と積層膜厚との関係について調査した結果について報告する。