マイクロギヤップスパークの光電界プローブを用いた過渡電界の測定と検証

摘要

ウェアラブル端末やM2M(Machine to Machine), IoT (Internet of Things)機器の普及に伴レ、，ヒトゃモノの帯電が引 き起こす静電気放電（ESD: Electrostatic Discharge)はあらゆ る場面で電磁干渉(EMI: Electromagnetic Interference)を引き 起こす可能性がある(1)。この種のEMI問題のうち，特に通 信回路と情報処理回路が高密度に実装された機器の自家中 毒(イントラEMC: Intra-Electromagnetic compatibility) (2)に ついては，帯電による静電界の存在する場において，マイ ク口ギヤップ間での火花放電で生ずる過渡的で急峻な近傍 電界に起因する場合が現実的な新たな電磁脅威として想定 されるが，原因となる放電点近傍における静電界を含めた 過渡電界がどのように振る舞い，そのレベルがどの程度に 達するかは十分には理解されていない。