机译:通过区域控制的曝光后烘烤来改善负性化学放大抗蚀剂的掩模制造的全局临界尺寸均匀性
机译:通过区域控制的曝光后烘烤来改善负性化学放大抗蚀剂的掩模制造的全局临界尺寸均匀性
机译:化学增强抗蚀剂的分解分析,以改善临界尺寸控制
机译:实时胺监测及其与化学放大抗蚀剂临界尺寸控制的相关性,用于亚0.25μm几何形状
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:首发单纯药物性精神分裂症患者的脑脊液酰胺及其代谢产物及其与精神分裂症的相关性
机译:控制在亚100nm尺寸的化学放大抗蚀剂中的图案形成的因素。