Logic gates; Dielectrics; Gallium nitride; Wide band gap semiconductors; Aluminum gallium nitride; Reliability; MODFETs;
机译:具有低压化学气相沉积SiN_x栅极电介质的常关GaN MIS-FET的偏置温度不稳定性
机译:增强模式p-GaN栅极AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的正向偏置栅极击穿机制
机译:具有双绝缘栅的隐栅增强模式GaN MOSFET,可提供10MHz的开关操作
机译:在AlGaN / GaN凹栅D型MIS-HEMT和E型MIS-FET上对PE-ALD SiN栅极电介质进行时变电介质击穿(TDDB)评估
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:旨在了解全嵌入式栅极GaN MIS-FET中的正偏置温度不稳定性(PBTI)
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制