Electromigration; Copper; Metallization; Materials reliability; Current density; Tensile stress; Standards;
机译:Cu / TaN /电介质/ Si MIS结构中通过射频溅射沉积TaN膜及其势垒性能
机译:金属有机等离子体增强的原子层沉积技术,用于亚互连厚度的铜互连技术的坚固TaN_x扩散势垒
机译:不同氮流量沉积的TaN_x薄膜对Cu / TaN_x / n + -p结二极管中Cu扩散的阻挡能力
机译:超薄TaN和三元Ta_(1-x)Al_xN_y膜的原子层沉积,用于高级互连中的Cu扩散阻挡层应用
机译:使用叔丁基亚氨基三(二乙基氨基)钽金属有机前驱体的Ta基扩散阻挡层的化学气相沉积和原子层沉积
机译:用于Cu / Si Connect系统的Alcrtatizr / AlcrtatizR-N高熵合金薄膜的扩散阻挡性能
机译:用于铜和锂扩散势垒应用的远程等离子体ALD沉积TiN和TaN
机译:通过等离子喷涂 - 物理气相沉积沉积高温多层环境屏障涂层。