ダブルスリット法を用いたレーザーイオン源のエミッタンス計測システムの構築

摘要

HIFにおける一つ当たりのイオン源には0.5 A以上の電流かつ1 π mm mrad以下の規格化rmsエミッタンスが要求される.そのような大電流イオンビームのエミッタンスも計測するため，本研究ではダブルスリット法を用いたレーザーイオン源のエミッタンス計測システムの構築を目的とした.構築したダブルスリットをビーム進行方向に対して横方向に1mm間隔で動かし、各スリット位置でイオンビームの電流強度を測定することで位相空間分布を得て，その分布から規格化rmsエミッタンスを算出した結果，約0.013 π mm mradとなった.また，Twissパラメータを用いてエミッタンス楕円を位相空間分布上に描き，楕円内の総電流を算出した結果，72 μAであった.この結果とBNLでの結果を比較し，妥当性を確認した.以上のことから，ダプルスリット法を用いたレーザ一イオン源のエミッタンス計測システムを構築できた.