シリコン上に膜形成可能なシリコン硫化物蛍光体の研究

摘要

亜鉛を含hだ新しいシリコン硫化物蛍光体SrZnSiS_4:Eu~(2+)を報告する.直方晶系(斜方晶系)Fddd (no.70)の空間群に属し,Eu~(2+)の5d~14f~6-4f~7遷移による緑色発光が生じる.発光のピーク波長は500 nm,半値全幅 は44nm,内部量子効率は31%である.シリコン基板上に,硫黄蒸気下での原子移動を介して膜形成することがで きる.電子線励起により,光励起の場合と同じ緑色発光が生じることがわかった.また,単斜晶系P2_1/m(no.11)に 属するSr_2SiS_4:Eu~(2+),Nd~(3+)では,緑色の残光が1000s以上にわたって生じる.緑色の蛍光は紫外光および青色光の励 起により生じるー方,残光は紫外光のみでえられる.Sr_2SiS_4:Eu~(2+),Nd~(3+)中のEu~(2+)の配置には2種類あり,片方のみ で残光をもたらすエネルギー蓄積が起こっていると考えられる.