Scattering parameters; Impedance; Logic gates; Gallium nitride; HEMTs; ISO;
机译:用于高功率的新型发射极 - 基 - 收集器 - 碱基发射器SiGe HBT,单极双掷X波段开关
机译:在基于FET的单刀双掷RF开关中评估单事件瞬态的影响
机译:使用电容MEMS开关的单刀双掷开关
机译:基于100nm Gate-Length AlGaN / Gan-HEMT技术的毫米波单极双掷开关
机译:基于硅技术的高性能射频和毫米波前端集成电路设计。
机译:25-34 GHz单极,双掷CMOS开关,用于KA频段相控阵收发器