机译:大功率AlGaN / GaN HFET,具有较低的通态电阻和较长的逆变器电路切换时间
机译:具有低导通电阻,高击穿电压和快速开关的AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:具有低导通电阻,高击穿电压和快速开关的AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:使用GaN双向开关具有非常低的导通电阻的3相T型3级逆变器
机译:Deadbeat-使用低开关频率多电平逆变器的高功率应用的直接转矩和磁通控制驱动器。
机译:GaN中Eu-Mg缺陷的迟滞光致变色开关链接了Mg受体的浅瞬态和深基态
机译:考虑动态导通态电阻的GaN基硬度切换半桥的功率损耗表征及建模