gallium nitride; N-polar; nanowires; light-emitting diodes; core-shell; selective area growth;
机译:基于P-I-N核心壳AlGaN / GaN纳米线异质结构的UV LED,由N极选择性区域外延生长
机译:MOVPE选择性生长区域中N极GaN棒形态对生长参数的依赖性
机译:通过分子束外延对GaN纳米线阵列的GaN纳米线阵列的选择性区域生长的极性控制的GaN / AlN成核层
机译:核心壳P-I-N GaN纳米线LED通过N极选择性区域生长
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:利用多壁碳纳米管(MWCNT) - 吡咯核 - 壳纳米线的人汗中乳酸的选择性非酶的乳酸检测
机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置受控的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理