Avalanche photodiode; type-Ⅱ super-lattice; low excess noise; Optical communication; LIDAR;
机译:改进的INAS / ALSB Type-II超晶格光电二极管,用于ESWIR,L-差异为2.4 mu m和qe,38%为300 k
机译:基于II型InAs / GaSb / AlSb超晶格的短波长红外光电二极管的演示
机译:基于Ⅱ型InAs / GaSb / AlSb超晶格的短波长红外光电二极管的演示
机译:INAS / ALSB型Ⅱ超晶格雪崩光电二极管
机译:II型超晶格雪崩光电二极管
机译:基于II型InAs / GaSb / AlSb超晶格的高性能偏置可选三色短波/中波/长波红外光电探测器
机译:具有本体Al0.04Ga0.96Sb和GaSb / AlSb超晶格增益层的近红外雪崩光电二极管
机译:体Inas(1-x)sb(x)和II型Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格中的导带和价带能量。