Hafnium compounds; Switches; Conductivity; Current measurement; Morphology; Distance measurement; Electrodes;
机译:基于HfO_2的1T1R RRAM器件中接口驱动的第一复位操作的特性
机译:基于HFO_2的1T1R RRAM设备中的界面驱动的第1重置操作的表征
机译:基于电容电压法的超薄HfO
机译:基于HFO
机译:质子辐射对基于HfO2的RRAM的影响
机译:Cu / HfO2 / Pt RRAM器件复位过渡时的细丝结构演变分析
机译:现场记忆周期TA