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机译:基于HfO_2的1T1R RRAM器件中接口驱动的第一复位操作的特性
IHP, Technol Pk 25, D-15236 Frankfurt, Oder, Germany;
IHP, Technol Pk 25, D-15236 Frankfurt, Oder, Germany;
Univ Ferrara, Dipartimento Ingn, Via G Saragat 1, I-44122 Ferrara, Italy;
Univ Ferrara, Dipartimento Ingn, Via G Saragat 1, I-44122 Ferrara, Italy;
IHP, Technol Pk 25, D-15236 Frankfurt, Oder, Germany|Brandenburg Med Sch Theodor Fontane, Fehrbelliner Str 38, D-16816 Neuruppin, Germany;
RRAM; HfO2; 1st Reset; Metal-oxide interfaces; Oxygen vacancies; Temperature;
机译:基于HFO_2的1T1R RRAM设备中的界面驱动的第1重置操作的表征
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机译:45纳米复位状态相变存储设备中的$ hbox {1} / f $噪声:表征,对存储器读出操作的影响和缩放角度
机译:在基于HfO
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