Gain; Noise figure; Tuning; CMOS technology; Current measurement; Linearity;
机译:11.81 mW 3.1-10.6 GHz超宽带低噪声放大器,噪声系数为2.87±0.19 dB,采用0.18μmCMOS技术的增益为12.52±0.81 dB
机译:采用0.13 CMOS技术的具有相位补偿的60 GHz级联可变增益低噪声放大器
机译:采用40nm CMOS技术的60GHz低噪声VGA和基于插值的增益单元
机译:一个60 GHz低噪声可变增益放大器,具有小噪声系数和IIP3 40nm CMOS技术的变化
机译:低功耗低噪声CMOS放大器的一些设计技术,具有针对GHz频率无线应用的噪声优化。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:低压全集成4.5-6GHz CMOS可变增益低噪声放大器InGaP
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。