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【24h】

Temperature Dependent Dielectric Function and Critical Points of Bulk Ge Compared to α-Sn on InSb

机译:InSb上与α-Sn相比,体温Ge的随温度变化的介电函数和临界点

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摘要

The temperature dependence of the dielectric function of Ge is investigated in a spectral range from 0.5 to 6.3 eV between 10 and 738 K. Structures occurring in the infrared region of α-Sn on InSb are compared to the absorption edge of Ge.
机译:在10至738 K之间的0.5至6.3 eV的光谱范围内研究了Ge介电函数的温度依赖性。将InSb上α-Sn的红外区域中发生的结构与Ge的吸收边缘进行了比较。

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