マイクロワイヤのセルフアセンブリ技術による脳計測電極デバイスの開発

摘要

脳へ刺入する神経電極は高い空間分解能での神経信号の電気的な計測を可能にしており、高い品質での信号計測は神経ネットワークや脳の働きを理解するのに必要とされている。脳内において神経細胞は高い密度で存在しているため、神経活動計測には刺入型神経電極が一般的に用いられている。MEMSを代表とする半導体微細化技術により製作された神経電極は脳神経科学やブレイン・マシン・インターフェースなどの広い分野に多大な貢献をしてきた。このような神経電極デバイスの次のステップとして、i) 細胞や組織へのダメージを抑えるための 10 μm 以下の微小な電極直径、ii) 1 mm以上の長い電極長（げっ歯類大脳皮質として~1 mm、サル大脳皮質として~2 mm）、そしてiii) 100μm間隔以下の高い密度の電極アレイでかつ裏面からの電気的配線が可能等の実現が求められている。