多層セラミツク基板を用いたハーフブリッジモジュールの電気·熱特性に関する一検討:基板構造が過渡熱抵抗およびスイッチング特性に与える影響の評価

摘要

本研究では、低インダクタンス化によるサージ電圧の低減を目的とした多層セラミック基板を用いたSiハーフブリッジモジュールを製作し、その電気的特性と熱特性の評価を行った。