GaN-HEMTを適用したQuasi-Zソースインバ一タの負荷短絡事故保護を想定したィンピーダンスソースの設計

摘要

本論文では，GaN-HEMTをqZSIに適用することにより，GaN-HEMTの短絡耐量がないという欠点を補う手法を提案した。また，通常運転と負荷短絡の2つの状態を想定したィンピーダンスソースの設計手法を示し，実験によって確認した。VSIにおける負荷短絡では，デバイスに大電流，高電圧がかかることが避けられない。しかし，qZSIではインピーダンスソース内のィンダクタによってデバイスに流れる電流や電圧を抑制可能である。負荷短絡時のqZSIのデバイス電流と電圧を理論的に解析し，通常の昇圧動作と短絡保護の両方の観点から，インピーダンスソース，特にそのィンダクタンスの設計方法を明らかにした。