【24h】

Stressor design for FinFETs with air-gap spacers

机译:带气隙垫片的FinFET的应力源设计

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摘要

The impact of various stressor elements on the performance of n-channel FinFET is summarized. Experimental FinFETs with air-gap spacer shows 25% drive current improvement despite slightly larger series resistance. TCAD suggests that carbon incorporation into the fin is the most likely explanation for drive current increase.
机译:总结了各种应力源元件对n通道FinFET性能的影响。尽管串联电阻稍大,但具有气隙垫片的实验FinFET仍可将驱动电流提高25%。 TCAD建议将碳掺入翅片是驱动电流增加的最可能解释。

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