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【2h】

Comparative high-k material gate spacer impact in DG-FinFET parameter variations between two structures

机译：比较高k材料栅极间隔物在两个结构之间的DG-FinFET参数变化中的影响

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Ameer F. Roslan; F. Salehuddin; A.S. M. Zain; K.E. Kaharudin; I. Ahmad; H. Hazura; A.R. Hanim; S.K. Idris;
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年度 2019
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