Nonvolatile memory; Magnetic tunneling; Random access memory; MOSFET; Very large scale integration; Computer architecture; Solids;
机译:具有嵌入式存储器应用的具有自参考感应电路的可靠2T2MTJ非易失性静态增益单元STT-MRAM
机译:Ni纳米晶体的物理化学结构对嵌入Ni纳米晶体的小分子非易失性存储单元非易失性存储特性的影响
机译:采用1×nm CMOS逻辑技术的1-kb FinFET介电电阻随机存取存储器阵列,用于嵌入式非易失性存储器应用
机译:带有STT-MRAM的嵌入式非易失性存储器及其在基于大脑的非易失性VLSI中的应用
机译:通过VLSI CMOS和非易失性存储器件中的氮化技术提高了氧化物的可靠性。
机译:利用嵌入明胶中的钴的非易失性电阻开关存储器
机译:半导体接枝聚合物嵌入式氧化石墨烯纳米氧化物,用于节能的非易失性电阻存储器应用