招待講演結晶性酸化物半導体を用いた極低電力デバイス

摘要

結晶性酸化物半導体を活性層に用いたFET(OSFET)は、オフ電流がSi FETに比べ約15桁も低い17yA/FET(85°C)であリ、デバイスの消費電力を大幅に低滅することが可能となる。60nmOSFETを用いたメモリ素子では、セル容量3.5fFのとき、85°Cで1時間以上のデータ保持、5 ns以下のデータ書き込み時間、セル当たり2.5 fJの低エネルギー害き込み、10~（14）回以上の高い書き換え耐性をもつ。65 nm CMOSと60 nm OSFETを用いたハイブリッドLSIの試作チップでは、スタンバイ電力をnWオーダまで低滅することができる。結晶性酸化物半導体技術はAIやIoT時代の低消费電力要求に応えることができる有望な技術の候補である。