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Improving the long pulse width failure current of NPN in BiCMOS technology

机译:在BiCMOS技术中改善NPN的长脉冲宽度故障电流

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摘要

The pulse width dependency of the failure current for NPN structures in a 0.18-μm BiCMOS technology is studied using measurements and TCAD simulation. The desired “Wunsch-Bell” behavior is not observed due to formation of current filaments in this device; however, the failure current for long pulse widths can be increased by layout changes.
机译:使用测量和TCAD仿真研究了0.18μmBICMOS技术中NPN结构的失效电流的脉冲宽度依赖性。由于该装置中的电流长丝的形成,未观察到所需的“Wunsch-Bell”行为;然而,可以通过布局改变增加长脉冲宽度的失效电流。

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