机译:SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导电荷载流子产生/俘获及相关降解的比较
机译:HfAlO / SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导的电荷载流子产生/俘获相关降解
机译:SiO_2 / HfO_2 / TiN栅堆叠中的电荷陷阱
机译:SIO {SUB} 2 / HFO {SUB} 2叠层的NBTI和PBTI(电荷俘获)的比较研究与Fusi,TIN,RE盖茨
机译:电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:具有HfO $ _2 $ / Dy $ _2 $ O $ _3 $门叠层的锗基MOS器件的介电弛豫和电荷陷阱特性研究