蒸着法によりインターカレートを制御した単純積層型CsPbI_3ぺロブスカイト太陽電池の作製

摘要

今回、無機型CsPbI_3ペロブスカイト太陽電池の発電層であるCsPbI_3ぺロブスカイト膜を蒸着法により製膜することに成功した。CsPbI_3を転移させる条件として350°Cで1minアニールすることで高いPCEの素子を作製することができた。PbI_2とCsIを蒸着する際に新たに交互積層を導入した。これにより二回交互積層において最も高いPCE=6.79％が得られた。また積層回数を増やすことにより再現性の向上が見られた。この交互に積層する方法は共蒸着よりも簡単に製膜でき、さらに、共蒸着によりべロブスカイト膜を製膜した素子よりも高い性能を得ることができる。