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【24h】

Photoluminescence enhancement in defect monolayer MoSe2 by hydrohalic acid treatment

机译:氢卤酸处理增强缺陷单层MoSe2的光致发光

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摘要

We demonstrate that the photoluminescence emission intensity of the CVD-grown MoSe2 monolayers can be effectively enhanced more than 30 times after a simple hydrohalic acid treatment, providing the cost-effect manufacturing of atomically-thin two-dimensional semiconductor materials.
机译:我们证明,在简单的氢卤酸处理后,CVD生长的MoSe2单层的光致发光发射强度可以有效提高30倍以上,从而提供了原子薄的二维半导体材料的制造成本效益。

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