化学气相沉积法控制合成单层MoSe2薄膜

摘要

为了寻找最优化的实验条件得到大面积且高晶体质量的二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2D TMDCs)薄膜材料,选择用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法,通过不断优化实验参量,制备出了单层MoSe2薄膜,并利用Raman光谱及光致发光光谱对样品的层数和带隙宽度进行表征。通过大量实验发现,在用CVD法制备单层MoSe2薄膜时,实验的初始压强及衬底与前驱体的距离会影响样品的生长。于是通过对比实验,探究了起始压强及衬底与前驱体的距离对单层MoSe2薄膜生长的影响。得到了最优化的压强及衬底与前驱体的距离。