机译:子5 nm技术节点的无连接门 - 全围绕垂直堆叠纳米线FET的特征与优化
机译:氢化纳米管/纳米线由曝光{111}小平面的TiO2纳米薄荷组装:优异的光催化CO 2还原活性和电荷分离机制(111)和(111)极性表面之间
机译:全能栅极硅纳米线MOSFET中纳米线线边缘粗糙度的研究
机译:钻石形GE和GE0.9SI0.1与干蚀刻技术有四个{111}小平面的门 - 全部纳米线FET
机译:用于DNA测序的门 - 全部纳米线MOSFET
机译:垂直栅全能纳米线GaSb-InAs核壳n型隧道FET
机译:多层垂直门 - 全周系纳米线FET标准电池用于高级技术节点的综合