avalanche photodiodes; elemental semiconductors; integrated optoelectronics; silicon; APD; CMOS technology; Si; avalanche gain; high-speed high-sensitivity silicon avalanche photodiode; p+-NW-p-sub structure; size 130 nm; Anodes; Cathodes; Silicon; Substrates;
机译:使用时域单光子计数和雪崩光电二极管的新型,高动态范围,高速,高灵敏度CMOS成像器
机译:采用130 nm CMOS技术制造的高速单片集成硅光电接收器
机译:用于100 Gb / s以太网的高速雪崩光电二极管和高灵敏度接收器光学组件
机译:130-NM CMOS中的高速高灵敏度硅雪崩光电二极管
机译:用于CMOS兼容的Tranceiver封装的波导耦合的雪崩光电二极管
机译:CMOS光电接收器IC带有片上雪崩光电二极管用于家庭监控激光雷达传感器
机译:表征采用标准0.18μmCmOs工艺制造的硅雪崩光电二极管,实现高速运行
机译:Geiger模式雪崩光电二极管阵列集成到全数字CmOs电路。