机译:具有有效I / O测试电路的1.2 V 8 Gb 8通道128 GB / s高带宽存储器(HBM)堆叠式DRAM
机译:集成了12.8 GB / s TSV宽I / O DRAM的3-D SoC中的设计挑战
机译:使用基于TSV的堆栈的具有4128个I / O的1.2 V 12.8 GB / s 2 Gb移动宽带I / O DRAM
机译:一种计算机设计了半GB 16通道819GB / s高带宽和10ns的低延迟DRAM,用于3D堆叠的存储器设备使用TSVS
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:Smart Refresh:增强型内存控制器设计,可减少常规和3D模堆叠DRAM中的能量