机译:使用基于TSV的堆栈的具有4128个I / O的1.2 V 12.8 GB / s 2 Gb移动宽带I / O DRAM
DRAM Design Team, Memory Division, Samsung Electronics, Company, Ltd., Hwasung-city, Gyeonggi-Do, Korea;
CMOS memory integrated circuits; DRAM chips; through-silicon vias;
机译:具有有效I / O测试电路的1.2 V 8 Gb 8通道128 GB / s高带宽存储器(HBM)堆叠式DRAM
机译:集成了12.8 GB / s TSV宽I / O DRAM的3-D SoC中的设计挑战
机译:带有叠前TSV测试电路和1GHz全数字噪声监控器的12.8GB / s宽IO DRAM控制器的简化测试
机译:使用基于TSV的堆栈的具有4×128 I / O的1.2V 12.8GB / s 2Gb移动宽带I / O DRAM
机译:基于FPGA的硬件开发系统,具有数千兆字节的存储容量和高带宽。
机译:巨细胞病毒UL131-128产品在进入内皮细胞过程中促进gB构象转变和gB-gH相互作用
机译:基于SOI的单片集成反射偏振分集式时隙阻塞器,用于快速可重新配置的128 Gb / s和256 Gb / s光网络