6T SRAM; Cell sizing; Dynamic behavior; FD SOI; Read Noise Margin; parasitic capacitances;
机译:400 mV准静态RAM(QSRAM)位单元的功能和稳定性分析
机译:纳米CMOS SRAM中基于DOE-ILP的同时功率和读取稳定性优化
机译:FinFET SRAM单元的读取稳定性和可写入性分析
机译:28nm SRAM位单元中动态读取稳定性的分析与优化
机译:DAC和SRAM上大规模变化的分析和建模。
机译:学习阅读作为动态系统的形成:语音记录中动态稳定性的证据
机译:纳米技术的SRAM单元的读取稳定性和可写性分析