CMOS integrated circuits; field effect transistors; silicon-on-insulator; tunnel transistors; CMOS-compatible sharp-switching devices; FDSOI technology; barrier modulation; beyond TFET; size 14 nm to 28 nm; tunneling-based transistors; Impact ionization; Logic gates; MOSFET; Switches; Switching circuits; Tunneling; BET-FET; CMOS; FDSOI; TFET; Z2-FET; sharp switching; tunneling;
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