0.2Ga
gallium arsenide; III-V semiconductors; indium compounds; photoluminescence; scanning electron microscopy;
机译:卷起Ingaas / GaAs / Rgo三层微管:制造,特征和滚动行为
机译:用Algaas Conuming层转移卷起Ingaas / GaAs量子点Microtube中光学模式的室温观察
机译:单片集成在硅上的卷起InGaAs / GaAs微管的微光致发光和拉曼光谱研究
机译:在GaAs(100)上自支撑卷起Ingaas / GaAs Microtubes阵列的制造和特性
机译:在1--2.6微米波长范围内的高性能InGaAs / InP焦平面阵列的设计,制造和表征。
机译:卷起的InGaAs / GaAs微管的温度依赖性拉曼研究
机译:在电信波长下卷起InGaAs / GaAs微管中方位角和纵向模式的表征
机译:单片集成InGaas有源像素成像器阵列的特性