Analytical models; Capacitance; Current measurement; Inductance; Logic gates; Switching loss; Transistors;
机译:级联结构下高压GaN HEMT的分析损耗模型
机译:Gan-Cappe AlGaN / GaN和Alinn / GaN Hemts电流电压特性的分析模型,包括热和自热效应
机译:低压eGaN HEMT的完整开关分析模型及其在损耗分析中的应用
机译:低压增强模式GaN HEMT的分析损耗模型
机译:分析建模 和加载 降压转换器 的 GaN基 点 的 发展 与 优化 反向传导 损耗
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模,在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷