Bias Temperature Instability; Gate Oxide Breakdown; Hot Carrier Degradation; circuits; performance; reliability; serially connected nFET;
机译:在低热预算0.18μm先进CMOS逻辑工艺中,在200mm p和p / p-晶圆中实现均匀且可靠的固有吸杂
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机译:用于低于100 nm CMOS的低功耗和高性能LSI的先进CMOS技术
机译:最大化高级CMOS电路的可靠性性能—一个案例研究
机译:采用高可变性先进CMOS技术的低功耗高性能SRAM设计
机译:用于高级CMOS器件的铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究
机译:高级CmOs技术中硬化时序元件辐射诱导软错误性能研究
机译:高级建模和仿真设计和制造高性能和可靠的先进微电子和微系统