Scatterometry; Ⅲ-Ⅴ; Germanium; FinFET; optical critical dimension; OCD; ellipsometry;
机译:利用三维泊松方程的解析解研究多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的随机掺杂波动
机译:锗注入技术用于先进CMOS晶体管的多晶硅栅极工程
机译:用于生物电子应用中的浮栅场效应晶体管的高级CMOS工艺
机译:使用光学散射测量溶液用于高级CMOS:Ⅲ-β和锗多栅场效应晶体管
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有多栅极结构的高性能延伸栅极离子敏感场效应晶体管用于透明柔性可穿戴生物传感器
机译:用于突触权重的后端,CMOS兼容的铁电场效应晶体管