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【24h】

Hot-Carrier Induced Photoluminescence Enhancement and Quenching in GaAs and InP Driven by Intense THz Pulses

机译:热载体诱导光致发光的增强和通过强烈THz脉冲驱动的GaAs和INP中的淬火

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摘要

We show how intense terahertz pulses can modulate photoluminescence lineshape and efficiency in direct gap semiconductors through hot-carrier-enhancement of high energy PL and diffusion induced quenching of low energy photoluminescence. We compare these effects in the GaAs and InP.
机译:我们展示了强烈的太赫兹脉冲如何通过热载体提高高能PL和低能量光致发光的扩散诱导淬火的直接间隙半导体中的光致发光线和效率。我们比较GaAs和InP中的这些效果。

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