ALD; atomic layer deposition; electrical stressing; metal/insulator/insulator/metal diodes (MIIM); metal/insulator/metal diode (MIM);
机译:HFO2 / AL2O3 / HFO2 / GEOX / GE和HFO2 / AL2O3 / GEOX / GE门堆的物理和电性能的比较
机译:通过缺陷增强的直接隧穿增强金属-绝缘体-绝缘体-金属隧道二极管
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机译:双层绝缘体HFO2 / AL2O3金属绝缘体 - 绝缘体 - 金属(MIIM)二极管的电力应力
机译:在区域熔化的重结晶绝缘体上硅结构中制造的侧向取向Pin二极管的特性,该结构包含完整的粘弹性应力释放层。
机译:基于环境后金属退火和恒压应力的Al2O3 / ZrO2和Al2O3 / HfO2双层薄膜的边界陷阱表征
机译:Pt / HfO2 / n-GaN金属-绝缘体-半导体(MIS)肖特基二极管的温度依赖性电特性