Electron traps; Temperature measurement; Hysteresis; Silicon carbide; Logic gates; MOSFET; Voltage measurement;
机译:Ni / n型4H-SiC肖特基结构的电流-电压特性中的磁滞效应
机译:多晶硅薄膜晶体管电流-电压特性中的迟滞起源
机译:使用PLEXP信息系统构建现场效应晶体管输出电流的电流 - 电压特性的二维回归模型
机译:使用电流-电压和电容-电压特性的超短脉冲计校正晶体管香料模型的参数
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:环境影响二硫化钼场效应晶体管的传输特性滞后
机译:耦合对电流 - 电压滞后跳跃方案的影响 高超导体中固有约瑟夫森结的特征