机译:多晶硅薄膜晶体管电流-电压特性中的迟滞起源
National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan 300, Republic of China;
机译:利用活化能的轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管电流-电压特性的机理分析
机译:多晶硅薄膜晶体管的电流分析模型
机译:两步加氢改善多晶硅薄膜晶体管的磁滞抑制
机译:多晶硅薄膜晶体管的分析电流 - 电压模型
机译:多晶Cu2O薄膜晶体管电气性能有限的起源
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:多通道金属诱导的单侧预混多晶硅薄膜晶体管器件和电路的动态特性