GaN; HEMT; MMIC; digital; driver circuit; inverter; switch mode power amplifier;
机译:微波和毫米波频率下的(In)AlGaN异质结场效应晶体管和电路用于大功率应用
机译:大功率微波0.25- / spl mu / m栅极掺杂沟道GaN / AlGaN异质结构场效应晶体管
机译:具有有源矩阵显示器的带氢化非晶硅薄膜晶体管的紧凑型解码器型栅极驱动器电路
机译:具有高度集成的有源数字开关模式驱动器电路的微波大功率GaN晶体管
机译:基于有机晶体管的电路作为平面微流体设备的驱动器
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:具有可调谐带匹配电路的接触装置中高功率微波晶体管的S参数测量的自动化
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。